碳化矽是如何形成的:
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碳化矽是如何形成的:
目前，關於碳化矽形成的理論有各種不同的解釋。可以歸納為下列幾種：
第一種：
碳與二氧化矽在高溫下作用，碳先把二氧化矽還原為矽。這是反應進程的第一步。緊接著碳與所形成的矽反應，生成碳化矽。也就是說爐內反應按下列方程式進行：
SiO2+C→Si+2CO
Si+C→SiC
第二種：
二氧化矽與碳在高溫下作用，二氧化矽先被碳還原為一氧化矽，然後一氧化矽再與碳作用，形成碳化矽。也有一些一氧化矽繼續被碳還原成為矽，矽再與痰作用形成碳化矽。按照這種見解而寫成的化學反應方程式為：
SiO2+C→SiO+CO
SiO2+2C→SiC+CO
SiO+C→Si+CO
Si+C→SiC
第三種：
爐內反應應該是二氧化矽與碳作用，直接形成碳化矽，即：
SiO2+3C→SiC+2CO
而且，在爐內反應所涉及的係統中的任何情況下，碳化矽形成都應該發生於矽形成之前。至於爐內偶然觀察到有矽形成，那隻不過是因為由能促進矽形成的雜質(如鐵、鋁等)所引起的異常現象，或者是由於爐芯附近碳化矽分解所致。3克分子碳與1克分子二氧化矽作用，生成1克分子碳化矽與2克分子一氧化碳的重量關係，應該是爐料計算的唯一基礎。
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